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PMDPB65UP,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 19500

  • NXP

  • SOT1118

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT1118

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào).原裝正品現(xiàn)貨!

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • NXP

  • 近兩年生產(chǎn)

  • DFN-6

  • -
  • 每一片都來自原廠

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人:田小姐/高先生/李小姐

    電話:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D(地王大廈周邊)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • NXP

  • SOT1118

  • 15+

  • -
  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17841084408

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20

  • 13500

  • 原裝正品

  • SOT1118

  • 2019+

  • -
  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
    深圳市軒盛達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103

  • 10000

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨,代找緊缺料

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯(lián)系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 13500

  • nxp

  • sot1118

  • 2017+pb

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • PMDPB65UP,115
    PMDPB65UP,115

    PMDPB65UP,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
PMDPB65UP,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET Dual P-Channel 20V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PMDPB65UP,115 技術(shù)參數(shù)
  • PMDPB58UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.6A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):804pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB56XNEAX 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):72 毫歐 @ 3.1A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):256pF @ 15V 功率 - 最大值:485mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB56XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.1A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):73 毫歐 @ 3.1A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):170pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB55XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):785pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB42UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.9A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 3.9A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):185pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDR-1 PMDR-10-19 PMDR-2 PMDR-20-29 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99
配單專家
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免責(zé)聲明:以上所展示的PMDPB65UP,115信息由會(huì)員自行提供,PMDPB65UP,115內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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