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PMH-10H-DC12V

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  • PMH-10H-DC12V
    PMH-10H-DC12V

    PMH-10H-DC12V

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panasonic Industrial Auto

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

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  • 1
PMH-10H-DC12V PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • PANASONIC ELECTRIC WORKS ACSD
  • 功能描述
  • Timer, Time Delay Relay, 2 Form C, 12VDC
PMH-10H-DC12V 技術(shù)參數(shù)
  • PMGD8000LN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):125mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):18.5pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD780SN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):490mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):920 毫歐 @ 300mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.05nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):23pF @ 30V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD400UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):710mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):480 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):43pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD370XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):740mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):440 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):37pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD290XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):860mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):34pF @ 20V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMH1206-700 PMH1206-900 PMH1210-300 PMH1210-500 PMH1210-800 PMH15GY PMH1806-101 PMH1806-600 PMH1806-800 PMH1812-121 PMH1812-900 PMH-24V100WCAA PMH-24V100WCAH PMH-24V100WCAJ PMH-24V150WCBA PMH-24V200WCBA PMH-24V50WCAA PMH25GY
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