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PMK35EP.518

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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PMK35EP.518 技術(shù)參數(shù)
  • PMK35EP,518 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14.9A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):6.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 9.2A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMK325AC6337MM-T 功能描述:330μF 2.5V 陶瓷電容器 X6S 1210(3225 公制) 0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電容:330μF 容差:±20% 電壓 - 額定:2.5V 溫度系數(shù):X6S 安裝類(lèi)型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-55°C ~ 105°C 應(yīng)用:通用 等級(jí):- 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.110"(2.80mm) 引線(xiàn)間距:- 特性:- 引線(xiàn)形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMK325AC6227MM-T 功能描述:220μF 2.5V 陶瓷電容器 X6S 1210(3225 公制) 0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電容:220μF 容差:±20% 電壓 - 額定:2.5V 溫度系數(shù):X6S 安裝類(lèi)型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-55°C ~ 105°C 應(yīng)用:通用 等級(jí):- 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.110"(2.80mm) 引線(xiàn)間距:- 特性:- 引線(xiàn)形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMK316BBJ227ML-T 功能描述:220μF 2.5V 陶瓷電容器 X5R 1206(3216 公制) 0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm) 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電容:220μF 容差:±20% 電壓 - 額定:2.5V 溫度系數(shù):X5R 安裝類(lèi)型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-55°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級(jí):- 封裝/外殼:1206(3216 公制) 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):- 厚度(最大值):0.071"(1.80mm) 引線(xiàn)間距:- 特性:- 引線(xiàn)形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMK30EP,518 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14.9A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):50nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2240pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):6.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 9.2A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PM-K45-P PM-K45-P-C3 PMK4A000 PMK4B000 PMK50000 PMK50XP,518 PM-K54 PM-K54P PMK60000 PM-K64 PM-K64P PM-K65 PM-K65-P PMK6A000 PMK70000 PMK7A000 PMK80000 PMKA1000
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