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PMO-4015MN-42HXQ

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  • PMO-4015MN-42HXQ
    PMO-4015MN-42HXQ

    PMO-4015MN-42HXQ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 全新原裝貨 電話010-62104931...

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  • 1
PMO-4015MN-42HXQ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 50Hz ~ 12kHz Analog Microphone Magnetic 2V Omnidirectional (-42dB ±2dB @ 94dB SPL) None
  • 制造商
  • mallory sonalert products inc.
  • 系列
  • PMO
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 類型
  • 磁性
  • 輸出類型
  • 模擬
  • 方向
  • 全向
  • 頻率范圍
  • 50Hz ~ 12kHz
  • 靈敏度
  • -42dB ±2dB @ 94dB SPL
  • 信噪比
  • 58dB
  • 阻抗
  • 2.2 千歐
  • 電壓 - 額定
  • 2V
  • 電壓范圍
  • 1 ~ 10V
  • 電流 - 電源
  • 500μA
  • 端口位置
  • 頂部
  • 密封等級
  • -
  • 端接
  • 大小/尺寸
  • 0.157" 直徑(4.00mm)
  • 高度(最大值)
  • 0.067"(1.70mm)
  • 形狀
  • 圓形
  • 標準包裝
  • 1
PMO-4015MN-42HXQ 技術參數
  • PMN80XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):385mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):102 毫歐 @ 2.5A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN70XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.1A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):88 毫歐 @ 3.1A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN70XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.2A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):602pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN55LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN52XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 3.7A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMOF-6050S-44UQ PMOF-9745P-39UQ PMOF-9745S-42UQ PMOF-9745W-42UQ PMOF-9767NP-46DQ PMOF-9767NS-40DQ PMP12RI PMP2425W PMP2425WH PMP2425WP PMP2425WPH PMP2450W PMP2450WH PMP2450WP PMP2450WPH PMP2490W PMP2490WH PMP2490WP
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