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PMPB15XPZ

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  • PMPB15XPZ
    PMPB15XPZ

    PMPB15XPZ

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • PMPB15XPZ
    PMPB15XPZ

    PMPB15XPZ

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367516

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • PMPB15XPZ
    PMPB15XPZ

    PMPB15XPZ

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 90000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1220

  • -
  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • PMPB15XPZ
    PMPB15XPZ

    PMPB15XPZ

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17841084408

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • SOT1220

  • 19+

  • -
  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

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PMPB15XPZ 技術參數(shù)
  • PMPB15XPH 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.2A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):100nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2875pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 8.2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB15XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):100nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2875pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 8.2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB15XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.3A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):20.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1240pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 7.3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB13XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):36nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2195pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 8A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB12UNEX 功能描述:MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.4A (Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1220pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):470mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 7.9A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB20XPE,115 PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEAX PMPB23XNE,115 PMPB23XNEZ PMPB25ENEAX PMPB27EP,115 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115 PMPB45EPAX PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX
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