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PMR10EZPJU5L0

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PMR10EZPJU5L0
    PMR10EZPJU5L0

    PMR10EZPJU5L0

    優(yōu)勢(shì)
  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室

  • 5000

  • ROHM

  • 0805 [2012 (mm)], 5%

  • 20+

  • -

  • 只做原裝，型號(hào)齊全，價(jià)格優(yōu)惠。

  • PMR10EZPJU5L0
    PMR10EZPJU5L0

    PMR10EZPJU5L0

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Rohm Semiconductor

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PMR10EZPJU5L0
    PMR10EZPJU5L0

    PMR10EZPJU5L0

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • ROHM

  • -

  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
PMR10EZPJU5L0 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • RES .005 OHM 1/2W 5% 0805 SMD
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
  • 系列
  • PMR10
  • 產(chǎn)品目錄繪圖
  • SMD Thick Film Top SMD Thick Film Side
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • CRCW - 汽車
  • 電阻（歐姆）
  • 510k
  • 功率（瓦特）
  • 0.1W，1/10W
  • 復(fù)合體
  • 厚膜
  • 特點(diǎn)
  • -
  • 溫度系數(shù)
  • ±100ppm/°C
  • 容差
  • ±1%
  • 封裝/外殼
  • 0603（1608 公制）
  • 尺寸/尺寸
  • 0.061" L x 0.033" W（1.55mm x 0.85mm）
  • 高度
  • 0.020"（0.50mm）
  • 端子數(shù)
  • 2
  • 包裝
  • 剪切帶 (CT)
  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面
  • 2217 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • 541-510KHCT
PMR10EZPJU5L0 技術(shù)參數(shù)
  • PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB45EPAX 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR18EZPFU5L00 PMR18EZPFU6L00 PMR18EZPFU7L00 PMR18EZPFU8L00 PMR18EZPFU9L00 PMR18EZPFV2L00 PMR18EZPFV3L00 PMR18EZPFV4L00 PMR18EZPJU10L PMR18EZPJU5L0 PMR18EZPJU6L0 PMR18EZPJU7L0 PMR18EZPJU8L0 PMR18EZPJU9L0 PMR18EZPJV2L0 PMR18EZPJV3L0 PMR18EZPJV4L0 PMR205AC6470M047R30
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