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PMV1-5RB-XY

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  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMV1-5RB-XY
    PMV1-5RB-XY

    PMV1-5RB-XY

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品，

  • PMV1-5RB-XY
    PMV1-5RB-XY

    PMV1-5RB-XY

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 1900

  • Panduit

  • ROHS

  • 1322+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • PMV1-5RB-XY
    PMV1-5RB-XY

    PMV1-5RB-XY

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3620

  • Panduit

  • ROHS

  • 201305+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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  • 功能描述
  • 端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • AVX
  • 產品
  • Junction Box - Wire to Wire
  • 系列
  • 9826
  • 線規(guī)
  • 26-18
  • 接線柱/接頭大小
  • 絕緣
  • 顏色
  • Red
  • 型式
  • Female
  • 觸點電鍍
  • Tin over Nickel
  • 觸點材料
  • Beryllium Copper, Phosphor Bronze
  • 端接類型
  • Crimp
PMV1-5RB-XY 技術參數(shù)
  • PMV130ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 40V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:170pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV120ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:275pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:513mW（Ta）, 6.4W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:123 毫歐 @ 2.1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV117EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:117 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:147pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標準包裝:1 PMV100XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.4A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:386pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:463mW（Ta）, 1.9W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:128 毫歐 @ 2.4A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV100ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 4.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV1-P10-CY PMV1-P12B-3K PMV2024GY PMV20ENR PMV20XN,215 PMV20XNEAR PMV20XNER PMV213SN,215 PMV22EN,215 PMV230ENEAR PMV2-35RB-3K PMV2-3FB-3K PMV2-3FB-C PMV2-3RB-3K PMV2-3RB-C PMV2-3RB-X PMV2-4FB-3K PMV2-4FB-C
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