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PMZ320UPEYL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
PMZ320UPEYL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V SOT883
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • P 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 1A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 1.5V，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 1.4nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • ±8V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 122pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 350mW（Ta）, 6.25W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 510 毫歐 @ 1A，4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DFN1006-3
  • 封裝/外殼
  • SC-101，SOT-883
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
PMZ320UPEYL 技術(shù)參數(shù)
  • PMZ290UNYL 功能描述:MOSFET 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ290UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ290UNE2YL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:46pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），5.43W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 1.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ270XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.15A SOT883 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ250UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZ760SN,315 PMZ950UPELYL PMZ950UPEYL PMZB1200UPEYL PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315 PMZB380XN,315 PMZB390UNEYL PMZB420UN,315 PMZB550UNEYL PMZB600UNELYL
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