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PN10-10F-2K

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 操作
  • PN10-10F-2K
    PN10-10F-2K

    PN10-10F-2K

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
PN10-10F-2K PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 端子 Fork Terminal, nylon insulated, 12 - 10
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 產(chǎn)品
  • Junction Box - Wire to Wire
  • 系列
  • 9826
  • 線規(guī)
  • 26-18
  • 接線柱/接頭大小
  • 絕緣
  • 顏色
  • Red
  • 型式
  • Female
  • 觸點(diǎn)電鍍
  • Tin over Nickel
  • 觸點(diǎn)材料
  • Beryllium Copper, Phosphor Bronze
  • 端接類型
  • Crimp
PN10-10F-2K 技術(shù)參數(shù)
  • PMZB950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB950UPELYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB790SN,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):650mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):940 毫歐 @ 300mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):35pF @ 30V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB670UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):680mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.14nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):87pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 400mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMZB600UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):600mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PN10-10LF-L PN10-10R-2K PN10-10R-D PN10-10R-E PN10-10R-L PN10-10RN-D PN10-10RX-L PN10-10SLF-2K PN10-10SLF-D PN10-10SLF-L PN10-12R-E PN10-12R-Q PN10-14F-2K PN10-14F-D PN10-14F-L PN10-14LF-D PN10-14LF-L PN10-14R-2K
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