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PSM-N-Y

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSM-N-Y
    PSM-N-Y

    PSM-N-Y

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • PSM-N-Y
    PSM-N-Y

    PSM-N-Y

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 1900

  • Panduit

  • ROHS

  • 1322+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • PSM-N-Y
    PSM-N-Y

    PSM-N-Y

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3620

  • Panduit

  • ROHS

  • 201305+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
PSM-N-Y PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 電線鑒定 Pre-Printed Self-Laminating Marker Cards
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • TE Connectivity / Q-Cees
  • 產(chǎn)品
  • Labels and Signs
  • 類型
  • 材料
  • Vinyl
  • 顏色
  • Blue
  • 寬度
  • 0.625 in
  • 長度
  • 1 in
PSM-N-Y 技術參數(shù)
  • PSMNR90-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:243nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14850pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 毫歐@ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN9R8-30MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:690pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標準包裝:1 PSMN9R5-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:44A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:681pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN9R5-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:44.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4454pF @ 50V 功率 - 最大值:52.6W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 PSMN9R5-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:89A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS PSMP-MSSB-PCT1R PSMP-MSSB-PCT35 PSM-P-Y PS-MQX-MAINTMULT PS-MQX-MAINTPRFM PS-MQX-MAINTS PS-MQX-MULTPROD PS-MQX-PRODFM
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