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配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PSMN2R4-30MLDX
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SMD
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PSMN2R4-30MLDX
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
13620
NXP
LFPAK
23+
-
只做全新原裝正品現(xiàn)貨

PSMN2R4-30MLDX
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1470
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

PSMN2R4-30MLDX
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
NXP/恩智浦
LFPAK
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

PSMN2R4-30MLDX
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100
NEXPERIA
con
24+
-
場(chǎng)效應(yīng)管

PSMN2R4-30MLDX
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室
367224
NEXPERIA
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

PSMN2R4-30MLDX
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
367224
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN2R4-30MLDX
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100
NEXPERIA
con
24+
-
場(chǎng)效應(yīng)管

PSMN2R4-30MLDX
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
367224
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN2R4-30MLDX
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
38200
NXP
SOT1210
2022+
-
十年芯途，只做原裝，實(shí)單可以支持。075...

PSMN2R4-30MLDXIC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
12500
NXP/恩智浦
SOT-1210
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

PSMN2R4-30MLDX
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-83795896
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
25200
NEXPERIA/安世
NA
21+原廠授權(quán)
-
★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

PSMN2R4-30MLDX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PSMN2R4-30MLDX
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEXPERIA
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

PSMN2R4-30MLDX
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK33
18+
-
MOSFET N-CH 30V 70A ...

PSMN2R4-30MLDX
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7480
NXP SEMIC
REEL
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

PSMN2R4-30MLDX
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室
3000
NEXPERIA/安世
SMD
20+
-
訂貨中可預(yù)訂

PSMN2R4-30MLDX
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
1500
NEXPERIA
主營優(yōu)勢(shì)
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

1/1頁 40條/頁共17條
1

您是不是要找： PSMN2R4-30YLDX PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-60PSQ PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115

PSMN2R4-30MLDX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
70A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
3264pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
91W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
2.4 毫歐 @ 25A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PSMN2R4-30MLDX 技術(shù)參數(shù)

PSMN2R2-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8423pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN2R2-40BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8423pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R2-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3310pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:141W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.15 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R2-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2542pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN2R1-40PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 150A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:87.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:9584pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60ES,127 PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R2-25YLC,115 PSMN3R2-30YLC,115 PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80ES,127 PSMN3R3-80PS,127