描述:
SVF12N65T/F/FG/K/S N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。
先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
特點(diǎn):
12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.64?@VGS=10V ?低柵極電荷量?低反向傳輸電容?開關(guān)速度快 ?提升了dv/dt 能力 12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.64?@VGS=10V ?
低柵極電荷量 ?
低反向傳輸電容 ?
開關(guān)速度快 ?
提升了dv/dt 能力
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