供應英飛凌SKW25N120單管價格優(yōu)

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    供應英飛凌SKW25N120單管價格優(yōu)

  • 封裝材料:

    其他

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    供應英飛凌SKW25N120單管價格優(yōu)

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    其他

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    其他

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  • 電流容量:

    大功率

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發(fā)布詢價信息

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產品信息

供應英飛凌SKW25N120單管價格優(yōu)!

型號:SKW25N120
廠家:INFINEON
封裝:TO-247

歡迎來電洽淡!

圳市亨力拓電子有限公司貨源電話:0755-83293082 阮先生


電磁灶是一種利用電磁感應原理將電能轉換為熱能的廚房電器。在電磁灶內部,由整流

電路將 50/60Hz  的交流電壓變成直流電壓,再經過控制電路將直流電壓轉換成頻率為

20-40KHz 的高頻電壓,高速變化的電流流過線圈會產生高速變化的磁場,當磁場內的 磁力線通過金屬器皿(導磁又導電材料)底部金屬體內產生無數的小渦流,使器皿本身自 行高速發(fā)熱,然后再加熱器皿內的東西。SKW25N120 PDF文檔

一、筒介

458 系列是由建安電子技術開發(fā)制造廠設計開發(fā)的新一代電磁爐,接口有 LED 發(fā)光二極 管顯示模式、LED 數碼顯示模式、LCD 液晶顯示模式、VFD 瑩光顯示模式機種。操作 功能有加熱火力調節(jié)、自動恒溫設定、定時關機、預約開/關機、預置操作模式、自動 泡茶、自動煮飯、自動煲粥、自動煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機種。額定加熱 功率有  700~3000W  的不同機種,功率調節(jié)范圍為額定功率的  85%,并且在全電壓范圍內 功率自動恒定。200~240V 機種電壓使用范圍為 160~260V, 100~120V 機種電壓使用范圍

為 90~135V。全系列機種均適用于 50、60Hz 的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為-23℃~45℃。 電控功能有鍋具超溫保護、鍋具干燒保護、鍋具傳感器開/短路保護、2  小時不按鍵(忘 記關機)  保護、IGBT 溫度限制、IGBT 溫度過高保護、低溫環(huán)境工作模式、IGBT 測溫 傳感器開/短路保護、高低電壓保護、浪涌電壓保護、VCE 抑制、VCE 過高保護、過零 檢測、小物檢測、鍋具材質檢測。

458 系列須然機種較多,且功能復雜,但不同的機種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參 數的差異及 CPU 程序不同而己。電路的各項測控主要由一塊 8 位 4K 內存的單片機組 成,外圍線路簡單且零件極少,并設有故障報警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時根 據故障報警指示,對應檢修相關單元電路,大部分均可輕易解決。
SKW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復二極管拆除不裝。.SGW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部不帶阻尼二極管,所以應用時須配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用SKW25N120。


    二、原理分析

2.1  特殊零件簡介

2.1.1  LM339 集成電路

 

LM339 內置四個翻轉電壓為 6mV 的電壓比較器,當電壓比較器輸入端電壓正向時(+輸入 端電壓高于-入輸端電壓),  置于 LM339 內部控制輸出端的三極管截止,  此時輸出端相當 于開路;  當電壓比較器輸入端電壓反向時(-輸入端電壓高于+輸入端電壓),  置于  LM339 內部控制輸出端 的三極管 導通,  將比 較器外部接入輸出端的電壓拉低,此 時輸出端 為

0V。

2.1.2  IGBT

 

 

 

絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱 IGBT,是一種集 BJT 的大電流密 度和 MOSFET 等電壓激勵場控型器件優(yōu)點于一體的高壓、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工藝制作的 IGBT,  但它們均可被看作是一個 MOSFET 輸入跟隨一 個雙極型晶體管放大的復合結構。

IGBT 有三個電極(見上圖),  分別稱為柵極 G(也叫控制極或門極)  、集電極 C(亦稱漏極)

及發(fā)射極 E(也稱源極)  。

從 IGBT 的下述特點中可看出,  它克服了功率 MOSFET 的一個致命缺陷,  就是于高壓

大電流工作時,  導通電阻大,  器件發(fā)熱嚴重,  輸出效率下降。

IGBT 的特點:

1.電流密度大,  是 MOSFET 的數十倍。

2.輸入阻抗高,  柵驅動功率極小,  驅動電路簡單。

3.低導通電阻。在給定芯片尺寸和 BVceo 下,  其導通電阻 Rce(on)  不大于 MOSFET 的


Rds(on)  的 10%。

4.擊穿電壓高,  安全工作區(qū)大,  在瞬態(tài)功率較高時不會受損壞。

5.開關速度快,  關斷時間短,耐壓 1kV~1.8kV 的約 1.2us、600V 級的約 0.2us,  約為 GTR

的 10%,接近于功率 MOSFET,  開關頻率直達 100KHz,  開關損耗僅為 GTR 的 30%。

IGBT 將場控型器件的優(yōu)點與 GTR 的大電流低導通電阻特性集于一體,  是極佳的高速高 壓半導體功率器件。

目前 458 系列因應不同機種采了不同規(guī)格的 IGBT,它們的參數如下:
SKW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復二極管拆除不裝。.SGW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部不帶阻尼二極管,所以應用時須配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用SKW25N120。


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