供應(yīng)英飛凌SKW25N120單管價(jià)格優(yōu)

電磁灶是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電器。在電磁灶內(nèi)部，由整流

電路將 50/60Hz  的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過(guò)控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為

20-40KHz 的高頻電壓，高速變化的電流流過(guò)線圈會(huì)產(chǎn)生高速變化的磁場(chǎng)，當(dāng)磁場(chǎng)內(nèi)的 磁力線通過(guò)金屬器皿(導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料)底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生無(wú)數(shù)的小渦流，使器皿本身自 行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。SKW25N120 PDF文檔

一、筒介

458 系列是由建安電子技術(shù)開(kāi)發(fā)制造廠設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的新一代電磁爐,接口有 LED 發(fā)光二極 管顯示模式、LED 數(shù)碼顯示模式、LCD 液晶顯示模式、VFD 瑩光顯示模式機(jī)種。操作 功能有加熱火力調(diào)節(jié)、自動(dòng)恒溫設(shè)定、定時(shí)關(guān)機(jī)、預(yù)約開(kāi)/關(guān)機(jī)、預(yù)置操作模式、自動(dòng) 泡茶、自動(dòng)煮飯、自動(dòng)煲粥、自動(dòng)煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機(jī)種。額定加熱 功率有  700~3000W  的不同機(jī)種,功率調(diào)節(jié)范圍為額定功率的  85%,并且在全電壓范圍內(nèi) 功率自動(dòng)恒定。200~240V 機(jī)種電壓使用范圍為 160~260V, 100~120V 機(jī)種電壓使用范圍

為 90~135V。全系列機(jī)種均適用于 50、60Hz 的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為-23℃~45℃。 電控功能有鍋具超溫保護(hù)、鍋具干燒保護(hù)、鍋具傳感器開(kāi)/短路保護(hù)、2  小時(shí)不按鍵(忘 記關(guān)機(jī))  保護(hù)、IGBT 溫度限制、IGBT 溫度過(guò)高保護(hù)、低溫環(huán)境工作模式、IGBT 測(cè)溫 傳感器開(kāi)/短路保護(hù)、高低電壓保護(hù)、浪涌電壓保護(hù)、VCE 抑制、VCE 過(guò)高保護(hù)、過(guò)零 檢測(cè)、小物檢測(cè)、鍋具材質(zhì)檢測(cè)。

458 系列須然機(jī)種較多,且功能復(fù)雜,但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參 數(shù)的差異及 CPU 程序不同而己。電路的各項(xiàng)測(cè)控主要由一塊 8 位 4K 內(nèi)存的單片機(jī)組 成,外圍線路簡(jiǎn)單且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時(shí)根 據(jù)故障報(bào)警指示,對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大部分均可輕易解決。
SKW25N120----西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內(nèi)部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時(shí)將原配套SGW25N120的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。.SGW25N120----西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SKW25N120。

    二、原理分析

2.1  特殊零件簡(jiǎn)介

2.1.1  LM339 集成電路

LM339 內(nèi)置四個(gè)翻轉(zhuǎn)電壓為 6mV 的電壓比較器,當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(shí)(+輸入 端電壓高于-入輸端電壓),  置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管截止,  此時(shí)輸出端相當(dāng) 于開(kāi)路;  當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí)(-輸入端電壓高于+輸入端電壓),  置于  LM339 內(nèi)部控制輸出端 的三極管 導(dǎo)通,  將比 較器外部接入輸出端的電壓拉低,此 時(shí)輸出端 為

0V。

2.1.2  IGBT

絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡(jiǎn)稱(chēng) IGBT,是一種集 BJT 的大電流密 度和 MOSFET 等電壓激勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工藝制作的 IGBT,  但它們均可被看作是一個(gè) MOSFET 輸入跟隨一 個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。

IGBT 有三個(gè)電極(見(jiàn)上圖),  分別稱(chēng)為柵極 G(也叫控制極或門(mén)極)  、集電極 C(亦稱(chēng)漏極)

及發(fā)射極 E(也稱(chēng)源極)  。

從 IGBT 的下述特點(diǎn)中可看出,  它克服了功率 MOSFET 的一個(gè)致命缺陷,  就是于高壓

大電流工作時(shí),  導(dǎo)通電阻大,  器件發(fā)熱嚴(yán)重,  輸出效率下降。

IGBT 的特點(diǎn):

1.電流密度大,  是 MOSFET 的數(shù)十倍。

2.輸入阻抗高,  柵驅(qū)動(dòng)功率極小,  驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。

3.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片尺寸和 BVceo 下,  其導(dǎo)通電阻 Rce(on)  不大于 MOSFET 的