新到H40T120(IHW40N120T)IGBT單管，價(jià)格優(yōu)惠！
H40T120 基本參數(shù):
型號(hào)：IHW40N120T(產(chǎn)品印字H40T120)
電壓：1200V
封裝：TO-247
阻尼二極管正向壓降：2.26V
通態(tài)功耗：71.6 W
標(biāo)稱功率：270W
英飛凌的H40T120 單管可用于低成本的變頻器方案,成本低,性能穩(wěn)定,規(guī)格40A 1200V
H40T120管的飽和壓降：Vce(sat)。如:（H40T120在40A條件下測(cè)試 Vce(sat) ≤1.8V）。
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深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話：0755-83293082 阮先生
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的H40T120，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時(shí)，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在H40T120 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。H40T120 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。
