供應(yīng)BSM400GA120DN2 IGBT模塊
品牌:Infineon /EUPEC
型號(hào):BSM400GA120DN2
電源電壓:1200(V)
飽和壓降:2.5 V
封裝:IGBT2 Standard技術(shù)62MM封裝
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BSM400GA120DN2由于有集電極-柵極寄生電容的密勒效應(yīng)影響,能引起意外的電壓尖峰損害,所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極電路的阻抗足夠低以盡量消除其負(fù)面影響。BSM400GA120DN2柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì)IGBT的開(kāi)通過(guò)程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大影響。所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)綜合考慮。BSM400GA120DN2應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來(lái)控制故障電流的下降速率,從而抑制器件的dv/dt和uce的峰值,達(dá)到短路保護(hù)的目的。BSM400GA120DN2在工作電流較大的情況下,為了減小關(guān)斷過(guò)電壓,應(yīng)盡量減小主電路的布線電感,吸收電容器應(yīng)采用低感型。