Graphene supermarket石墨烯薄膜

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美國Graphene supermarket雙層CVD石墨烯薄膜層CVD石墨烯薄膜石墨烯/H-BN薄膜:
單層H-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉移到285納米(p摻雜)SiO2/Si晶片上
尺寸:1cmx1cm;8包
薄膜是連續(xù)的,帶有小孔和有機殘留物。
石墨烯薄膜為牙前單層(95%以上),偶爾有小的多層島(5%以下為雙層)。
電阻:430-800Ω/平方
以下所示的每張膠片的轉移
在銅箔上通過化學氣相沉積法生長石墨烯薄膜和H-BN薄膜,然后轉移到SiO2/Si晶片上。
欲了解轉移前薄膜的特性,請參閱我們的相關產(chǎn)品:銅箔上的石墨烯和銅箔上的H-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性:
氧化物厚度:285納米
氧化物厚度:285納米
顏色:紫色
晶片厚度:525微米
電阻率:0.001-0.005ohm-cm
類型/摻雜劑:P/硼
方向:<100>
前表面:拋光
背面:蝕刻



 
 
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