IQE006NE2LM5ATMA1
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零件狀態(tài) | 在售 | |
FET 類型 | N 通道 | |
技術 | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 25 V | |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 41A(Ta),298A(Tc) | |
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 0.65 毫歐 @ 20A,10V | |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250μA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) | 82.1 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±16V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 5453 pF @ 12 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),89W(Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等級 | - | |
資質 | - | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應商器件封裝 | PG-TSON-8-4 | |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN | |
基本產(chǎn)品編號 | IQE006 |
電話:13288088530
聯(lián)系人:林 (先生)
QQ:
郵箱:linxb@jidcon.com
地址:東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓
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