IQE006NE2LM5ATMA1晶體管 表面貼裝型 N 通道 25 V 41A(Ta),298A(Tc) 2.1W(Ta)

產(chǎn)品信息

零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
41A(Ta),298A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
0.65 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
82.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
5453 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),89W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等級
-
資質
-
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TSON-8-4
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號
IQE006
 
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公司介紹

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