IRLML6401TRPBF 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET P溝道 12V/4.3A

產(chǎn)品信息

標(biāo)準(zhǔn)包裝 ? 3,000
類別
包裝 ? 帶卷 （TR） ? 
FET 類型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）4.3A （Ta）
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）50 毫歐 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）950mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)15nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)830pF @ 10V
功率 - 最大值1.3W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝Micro3?/SOT-23

深圳市瑞意全電子有限公司

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公司介紹

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