產(chǎn)品信息


型號(hào)：IRFS4227TRLPBF
封裝：IR
品牌：TO263
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IRFS4227TRLPBF外觀圖

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：HEXFET?
  • FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：62A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫歐 @ 46A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：98nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：4600pF @ 25V
  • 功率 - 最大：330W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
  • 包裝：帶卷 (TR)
  • 其它名稱：IRFS4227TRLPBF-NDIRFS4227TRLPBFTR
　
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公司介紹

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