產(chǎn)品信息

型號：IRF1010EPBF
封裝：IR
品牌：TO220
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IRF1010EPBF外觀圖

  • 大?。?31.87KB
  • 廠家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET㈢ Power MOSFET
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：HEXFET?
  • FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：84A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫歐 @ 50A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：3210pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
  • 包裝：管件
  • 其它名稱：*IRF1010EPBF
　
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公司介紹

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