IS61WV25616BLL-10TLI
ISSI
1645
TSSOP44
5000多家會員為您找貨報價,SO EASY!
IS61WV25616BLL-10TLI是一個高速,262144字4194304位靜態(tài)RAM組織由16位。 IS61WV25616BLL-10TLI采用ISSI公司的hgih高性能CMOS技術(shù)。這種高度可靠的過程,再加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù),高性能和低功耗設(shè)備的產(chǎn)量。當CE為高電平時(取消選擇),IS61WV25616BLL-10TLI假定功耗CMOS輸入電平可降低待機模式。 參數(shù)上 IS61WV25616BLL-10TLI的大額定值:(1)相對于GND端電壓:-0.5V至VDD+0.5 V;(2)VDD到GND-0.3V到4.0V(3)存儲溫度:-65 150℃;(4)功耗:1.0W。 特點 IS61WV25616BLL10TLI功能:(1)高速訪問時間:8,10,20ns的;(2)積極低功率:為85mW;(3)低待機功耗:7MW CMOS待機;(4)單電源供電:2.4至3.6 V,(5)完全靜態(tài)操作:沒有時鐘或刷新;(6)三態(tài)輸出;(7)數(shù)據(jù)控制uppear和低字節(jié)(8)工業(yè)和汽車溫度的支持;(9)無鉛可用。
電話:0755-22664880
聯(lián)系人:何黃 (先生)
QQ:
郵箱:a953082117@163.com
地址:深圳市福田區(qū)佳和大廈1503
100%產(chǎn)品查看率
會員等級
會員年限