STMicroelectronics MDmesh M5 mosfts采用硅基技術(shù),將創(chuàng)新的專有垂直技術(shù)流程與STMicroelectronics的PowerMESH水平布局相結(jié)合。與以前的MDmesh II技術(shù)相比,該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高達(dá)40%的更好的RDS(on),并在電源開關(guān)領(lǐng)域建立了一個(gè)新的里程碑。
特性
突出的RDS(on)區(qū)域值
快速切換
高vds公司評(píng)級(jí)
高dV / dt的能力
很容易駕駛
100%雪崩測(cè)試
應(yīng)用
SMPS(計(jì)算機(jī)、高效適配器和電信)
顯示器(電視機(jī)、顯示器)
太陽能轉(zhuǎn)換器
STMicroelectronics Power mosfet & IGBTs適用于SMPS