現(xiàn)貨供應(yīng)SI3447BDV-T1-E3 VISHAY分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 品牌:

    VISHAY

發(fā)布詢價(jià)信息

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產(chǎn)品信息

零件編號(hào) SI3447BDV-T1-E3TR-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號(hào)
SI3447BDV-T1-E3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 過(guò)期
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss) 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 4.5A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 40 毫歐 @ 6A,4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 6-TSOP
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6



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