NVSRAM STK11C88-NF25ITR 存儲器

STK11C88-NF25ITR介紹；

描述 IC NVSRAM 256KBIT 25NS 28SOIC

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）

詳細描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲器 IC 256Kb （32K x 8） 并聯(lián) 25ns 28-SOIC

類別 集成電路（IC）

存儲器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 停產(chǎn)

存儲器類型 非易失

存儲器格式 NVSRAM

技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量 256Kb （32K x 8）

寫周期時間 - 字，頁 25ns

訪問時間 25ns

存儲器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

供應商器件封裝 28-SOIC

基本零件編號 STK11C88

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹；

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價格優(yōu)勢！所出的物

料，絕對原裝正

品！放心購買！

本公司為一般納稅人，可開17%增值稅票！歡迎垂詢！

動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上，借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產(chǎn)生。

?