DDR3 MT41J64M16LA-187E:B TR 存儲器

MT41J64M16LA-187E:B TR介紹；

描述 IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 96FBGA

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）

詳細描述 SDRAM - DDR3 存儲器 IC 1Gb （64M x 16） 并聯(lián) 533MHz 96-FBGA（9x15.5）

類別 集成電路（IC）

存儲器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 停產(chǎn)

存儲器類型 易失

存儲器格式 DRAM

技術 SDRAM - DDR3

存儲容量 1Gb （64M x 16）

時鐘頻率 533MHz

寫周期時間 - 字，頁 -

存儲器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 1.425 V ~ 1.575 V

工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 96-FBGA

供應商器件封裝 96-FBGA（9x15.5）

基本零件編號 MT41J64M16

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為解決高速的CPU與速度相對較慢的主存的矛盾，還可使用高速緩存。它采用速度很快、價格更高的半導體靜態(tài)存儲器，甚至與微處理器做在一起，存放當前使用最頻繁的指令和數(shù)據(jù)。當CPU從內(nèi)存中讀取指令與數(shù)據(jù)時，將同時訪問高速緩存與主存。如果所需內(nèi)容在高速緩存中，就能立即獲取；如沒有，再從主存中讀取。高速緩存中的內(nèi)容是根據(jù)實際情況及時更換的。這樣，通過增加少量成本即可獲得很高的速度。