存儲(chǔ)器
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M24M02-DRMN6TP介紹;
描述 IC EEPROM 2MBIT 1MHZ 8SO
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無(wú)限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 EEPROM 存儲(chǔ)器 IC 2Mb (256K x 8) I2C 1MHz 450ns 8-SO
類(lèi)別 集成電路(IC)
存儲(chǔ)器
制造商 STMicroelectronics
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類(lèi)型 非易失
存儲(chǔ)器格式 EEPROM
技術(shù) EEPROM
存儲(chǔ)容量 2Mb (256K x 8)
時(shí)鐘頻率 1MHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè) 10ms
訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間 450ns
存儲(chǔ)器接口 I2C
電壓 - 電源 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號(hào) M24M02
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹;
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實(shí)際結(jié)果是占用的硬盤(pán)容量減少,總體存儲(chǔ)性能顯著提高。主存儲(chǔ)去重的第二個(gè)好處是所有數(shù)據(jù)都被減少,這實(shí)現(xiàn)了包括數(shù)據(jù)庫(kù)在內(nèi)的所有數(shù)據(jù)的容量節(jié)省。盡管Oracle環(huán)境的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)壓縮可能造成一些性能問(wèn)題,但迄今為止的測(cè)試表明性能提高了。
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