MT29F16G08CBACAWP:C TR介紹;
描述 IC FLASH 16GBIT 48TSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)
詳細描述 FLASH - NAND 存儲器 IC 16Gb (2G x 8) 并聯(lián) 48-TSOP I 存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NAND
存儲容量 16Gb (2G x 8)
寫周期時間 - 字,頁 -
存儲器接口 并聯(lián)
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 48-TSOP I
基本零件編號 MT29F16G08
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹;
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以存儲體(大量存儲單元組成的陣列)為核心,加上必要的地址譯碼、讀寫控制電路,即為存儲集成電路;再加上必要的I/O接口和一些額外的電路如存取策略管理,則形成存儲芯片,比如手機中常用的存儲芯片。得益于新的IC制造或芯片封裝工藝,現(xiàn)在已經(jīng)有能力把DRAM和FLASH存儲單元集成在單芯片里。存儲芯片再與控制芯片(負責復(fù)雜的存取控制、存儲管理、加密、與其他器件的配合等)及時鐘、電源等必要的組件集成在電路板上構(gòu)成整機,就是一個存儲產(chǎn)品,如U盤。從存儲單元(晶體管陣列)到存儲集成電路再到存儲設(shè)備,都是為了實現(xiàn)信息的存儲,區(qū)別是層次的不同。