HN4K03JU介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 100mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 8.5pF @ 3V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 12歐姆 @ 10mA,2.5V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 USV
封裝/外殼 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
由于其響應(yīng)速度快,準(zhǔn)確性高,晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能,包括放大,開關(guān),穩(wěn)壓,信號調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域,可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。