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晶體管IPD65R250E6 MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IPD65R250E6介紹：

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS? E6

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 16.1A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 400μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 45nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 950pF @ 1000V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 208W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 250 毫歐 @ 4.4A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

晶體管是一種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開(kāi)關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦，手機(jī)，和所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。

公司介紹

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