晶體管IPT059N15N3 FET

  • 類型:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IPT059N15N3介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 155A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 8V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 5.9毫歐 @ 150A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-HSOF-8-1
封裝/外殼 8-PowerSFN



由于其響應(yīng)速度快,準(zhǔn)確性高,晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能,包括放大,開關(guān),穩(wěn)壓,信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域,可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
 
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