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晶體管SI1917EDH-T1-E3 MOSFET

類(lèi)型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

SI1917EDH-T1-E3介紹：

描述 MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）

詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)

類(lèi)別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 停產(chǎn)

FET 類(lèi)型 2 個(gè) P 溝道（雙）

FET 功能邏輯電平門(mén)

漏源電壓（Vdss） 12V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1A

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 370 毫歐 @ 1A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 100μA（最?。?/span>

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 2nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） -

功率 - 最大值 570mW

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型表面貼裝

封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商器件封裝 SC-70-6（SOT-363）

基本零件編號(hào) SI1917

因此在一定范圍內(nèi)可以認(rèn)為，改變VGS來(lái)控制漏源之間的電阻，達(dá)到控制ID的作用。由于這種結(jié)構(gòu)在VGS=0時(shí)，ID=0，稱(chēng)這種MOSFET為增強(qiáng)型。另一類(lèi)MOSFET，在VGS=0時(shí)也有一定的ID（稱(chēng)為IDSS），這種MOSFET稱(chēng)為耗盡型。

公司介紹

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