FQP46N15介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 QFET?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 45.6A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 3250pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 210W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 42 毫歐 @ 22.8A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
在控制電器和機(jī)械方面,晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備,因?yàn)樗ǔJ歉阋恕⒏行У?,僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機(jī)程序來完成同樣的機(jī)械任務(wù),使用電子控制,而不是設(shè)計一個等效的機(jī)械控制。