DS1245W-150介紹:
描述 IC NVSRAM 1MBIT 150NS 32EDIP
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 NVSRAM(非易失性 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 1Mb (128K x 8) 并聯(lián) 150ns 32-EDIP 存儲(chǔ)器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲(chǔ)容量 1Mb (128K x 8)
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè) 150ns
訪問時(shí)間 150ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝 32-EDIP
基本零件編號(hào) DS1245W
PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實(shí)現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時(shí)器8253的計(jì)數(shù)器1,每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請(qǐng)求,該請(qǐng)求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請(qǐng)求得到響應(yīng)時(shí),DMA控制器送出到刷新地址信號(hào),對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作,每讀一次刷新一行。