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存儲器 CYATB108LD-ZS45XI NVSRAM

類型：
集成電路（IC）

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產(chǎn)品信息

CYATB108LD-ZS45XI介紹：

描述 IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周

詳細(xì)描述 NVSRAM（非易失性 SRAM）存儲器 IC 8Mb （1M x 8）并聯(lián) 45ns 44-TSOP II

類別集成電路（IC）

存儲器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 -

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零件狀態(tài) 在售

存儲器類型非易失

存儲器格式 NVSRAM

技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量 8Mb （1M x 8）

寫周期時間 - 字，頁 45ns

訪問時間 45ns

存儲器接口并聯(lián)

電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝 44-TSOP II

存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等。

公司介紹

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