IS46TR16128BL-125KBLA2-TR介紹:
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 3(168 小時(shí))
詳細(xì)描述 SDRAM - DDR3L 存儲(chǔ)器 IC 2Gb (128M x 16) 并聯(lián) 800MHz 20ns 96-TWBGA(9x13) 存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類(lèi)型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲(chǔ)容量 2Gb (128M x 16)
時(shí)鐘頻率 800MHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè) 15ns
訪問(wèn)時(shí)間 20ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
工作溫度 -40°C ~ 105°C(TC)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-TWBGA(9x13)
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器。