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晶體管 STB16NF06LT4 MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

STB16NF06LT4介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 60V 16A（Tc） 45W（Tc） D2PAK

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMICroelectronics

系列 STripFET??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 16A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。

公司介紹

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