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晶體管 STP80NF55L-06 FET

類型：
分立半導體產品

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產品信息

STP80NF55L-06介紹：

描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 38 周

詳細描述通孔 N 溝道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB

類別分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 STMICroelectronics

系列 STripFET?? II

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 80A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6.5 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 136nC @ 5V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4850pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

公司介紹

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