SPB17N80C3介紹:
描述 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 800V 17A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263-3-2
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 17A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 290 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 177nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 227W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-3-2
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。