ZXMN2A14FTA介紹:
描述 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 20V 3.4A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3.4A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 60 毫歐 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 544pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。