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晶體管 FDD5N60NZTM MOSFET - 單

類型：
分立半導體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FDD5N60NZTM介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V DPAK-3

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 20 周

詳細描述表面貼裝 N 溝道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 UniFET-II??

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2 歐姆 @ 2A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 13nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 83W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應商器件封裝 D-Pak

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。晶體管，本名是半導體三極管。

公司介紹

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