DMN3135LVT-7介紹:
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無(wú)限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門(mén)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 3.5A
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 60 毫歐 @ 3.1A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 4.1nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 305pF @ 15V 功率 - 最大值 840mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝 TSOT-26
晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等,晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。