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晶體管 IRLMS1503TRPBF FET-MOSFET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IRLMS1503TRPBF介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周

詳細(xì)描述表面貼裝 N 溝道 30V 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） MICro6?（TSOP-6）

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3.2A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 2.2A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 9.6nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 210pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 Micro6?（TSOP-6）

封裝/外殼 SOT-23-6

根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊(duì).快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。