晶體管 IRFD120PBF 半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 類(lèi)型：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

IRFD120PBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 270 毫歐 @ 780mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼 4-DIP（0.300"，7.62mm）



晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
　
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