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晶體管 SI5419DU-T1-GE3 半導(dǎo)體產(chǎn)品

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

發(fā)布詢價信息

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產(chǎn)品信息

SI5419DU-T1-GE3介紹：

描述 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 22 周

詳細(xì)描述表面貼裝 P 溝道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 20 毫歐 @ 6.6A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 45nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），31W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）

封裝/外殼 8-PowerVDFN

一開機(jī)就工作。例如，晶體管收音機(jī)一開就響，晶體管電視機(jī)一開就很快出現(xiàn)畫面。電子管設(shè)備就做不到這一點(diǎn)。開機(jī)后，非得等一會兒才聽得到聲音，看得到畫面。顯然，在軍事、測量、記錄等方面，晶體管是非常有優(yōu)勢的。

公司介紹

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