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晶體管 TK56A12N1,S4X FET

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

TK56A12N1,S4X介紹：

描述 MOSFET N-CH 120V 56A TO-220

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 16 周

詳細描述通孔 N 溝道 120V 56A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 U-MOSVIII-H

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零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 120V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 56A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.5 毫歐 @ 28A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 69nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 60V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-220SIS

封裝/外殼 TO-220-3 整包

場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應(yīng)管可以用作可變電阻.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠信,有耐心，重責(zé)任，細管理，強服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團隊.快速變化的市場環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國內(nèi)知名，國外馳名的IC混合型電子元器件代理商。