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存儲(chǔ)器 CY62167EV18LL-55BVXI SRAM

類型：
集成電路（IC）

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產(chǎn)品信息

CY62167EV18LL-55BVXI介紹：

描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 3（168 小時(shí)）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 11 周

詳細(xì)描述 SRAM - 異步存儲(chǔ)器 IC 16Mb （1M x 16）并聯(lián) 55ns 48-VFBGA（6x8）

類別集成電路（IC）

存儲(chǔ)器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 MoBL?

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零件狀態(tài) 在售

存儲(chǔ)器類型易失

存儲(chǔ)器格式 SRAM

技術(shù) SRAM - 異步

存儲(chǔ)容量 16Mb （1M x 16）

寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 55ns

訪問(wèn)時(shí)間 55ns

存儲(chǔ)器接口并聯(lián)

電壓 - 電源 1.65 V ~ 2.25 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 48-VFBGA

供應(yīng)商器件封裝 48-VFBGA（6x8）

基本零件編號(hào) CY62167

你可能遇到的一種類型的存儲(chǔ)芯片問(wèn)題是災(zāi)難性的失效。這通常是在加工好之后芯片受到物理或者是電子損傷造成的。災(zāi)難性失效是少見的，通常影響芯片中的大部分。因?yàn)橐淮笃瑓^(qū)域受到影響，所以災(zāi)難性的失效當(dāng)然可以被合適的測(cè)試算法檢測(cè)到。

公司介紹

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