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存儲器 CAT25128HU4I-GT3 EEPROM

類型：
集成電路（IC）

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產(chǎn)品信息

CAT25128HU4I-GT3介紹：

描述 IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8UDFN

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周

詳細(xì)描述 EEPROM 存儲器 IC 128Kb （16K x 8） SPI 10MHz 8-UDFN-EP（2x3）

類別集成電路（IC）

存儲器

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

存儲器類型非易失

存儲器格式 EEPROM

技術(shù) EEPROM

存儲容量 128Kb （16K x 8）

時(shí)鐘頻率 10MHz

寫周期時(shí)間 - 字，頁 5ms

存儲器接口 SPI

電壓 - 電源 1.8 V ~ 5.5 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型表面貼裝

封裝/外殼 8-UFDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝 8-UDFN-EP（2x3）

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個(gè)二進(jìn)制代碼。

公司介紹

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