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晶體管 FGP10N60UNDF MOSFET - 單

類型：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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產(chǎn)品信息

FGP10N60UNDF 介紹：

描述 IGBT 600V 20A 139W TO220-3

詳細(xì)描述 IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - UGBT，MOSFET - 單

制造商 ON SemIConductor

系列 -

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零件狀態(tài) 在售

IGBT 類型 NPT

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 20A

脈沖電流 - 集電極 (Icm) 30A

不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.45V @ 15V，10A

功率 - 最大值 139W

開關(guān)能量 150μJ（開），50μJ（關(guān)）

輸入類型標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷 37nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值 8ns/52.2ns

測(cè)試條件 400V，10A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 37.7ns

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

封裝/外殼 TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來(lái)控制源極和泄極之間的電流。

公司介紹

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司介紹，公司擁有一支“講誠(chéng)信,有耐心，重責(zé)任，細(xì)管理，強(qiáng)服務(wù)，善溝通，靜精業(yè)務(wù)，富創(chuàng)意” 的銷售團(tuán)隊(duì).快速變化的市場(chǎng)環(huán)境中，我們始終秉承著“服務(wù)于客戶，讓利于客戶”的宗旨，現(xiàn)已發(fā)展成為國(guó)內(nèi)知名，國(guó)外馳名的IC混合型電子元器件代理商。