AFT20P060-4NR3介紹:
描述 FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4
詳細(xì)描述 射頻 Mosfet LDMOS(雙) 28V 450mA 2.17GHz 18.9dB 6.3W OM780-4
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
制造商 NXP USA Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 LDMOS(雙)
頻率 2.17GHz
增益 18.9dB
電壓 - 測試 28V
額定電流 -
噪聲系數(shù) -
電流 - 測試 450mA
功率 - 輸出 6.3W
電壓 - 額定 65V
封裝/外殼 OM780-4
供應(yīng)商器件封裝 OM780-4
溝道的極性與其漏極(drain)與源極相同,假設(shè)漏極和源極是n型,那么溝道也會(huì)是n型。溝道形成后,金氧半場效晶體管即可讓電流通過,而依據(jù)施于柵極的電壓值不同,可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會(huì)受其控制而改變。